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| 被蝕刻材料 | 基片 | 蝕刻速率 (Å/min) | 選擇性 | 均勻性 (±%) |
|
Thermal SiO2 二氧化硅 |
Silicon |
450 |
10:1 |
3% |
|
PECVD SiO2 PECVD 二氧化硅 |
Silicon |
450 |
10:1 |
5% |
|
4%PSG |
Silicon |
550 |
12:1 |
5% |
|
PECVD SiN3 |
Oxide |
450 |
4:1 |
5% |
|
LPCVD SiN3 |
Oxide |
300 |
2:1 |
5% |
|
Isotropic |
Silicon |
250 |
10:1 |
5% |
|
Single Xtal 單晶體 |
n/a |
300 |
(mask) 2:1 |
5% |
|
TiW |
Oxide |
250 |
3:1 |
5% |
|
Molybdenum 鉬 |
Oxide |
1000 |
15:1 |
8% |
|
Polyimide 聚酰亞胺 |
Aluminum |
600 |
>30:1 |
5% |
|
Photo-Resist 光刻膠 |
Oxide |
1000 |
>20:1 |
5% |
| 被蝕刻材料 | 基片 | 蝕刻速率 (Å/min) | 選擇性 | 均 勻 性 (±%) |
|
Pure Aluminum 純鋁 |
Thermal Oxide |
800 |
12:1 |
4% |
|
Al/1-2%Si |
Thermal Oxide |
600 |
8:1 |
5% |
|
Al/<2%Cu |
Thermal Oxide |
500 |
6:1 |
5% |
|
Polysilicon |
Thermal Oxide |
400 |
15:1 |
5% |
|
Single Xtal |
n/a |
500 |
(mask) 10:1 |
5% |
|
GaAs Via |
n/a |
1µ/min |
>10:1 |
5% |
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